・10 〜 6000 MHz、50Ω
・PSAT +38.5dBm typ
・High output power of 6W or more (PIN = +26dBm)
・35% high efficiency PAE
・Large-signal gain 12dB typ
・Gain flatness ±1dB or less
・Low IM3 -32dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・Low IM5 -56dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・GaN-on-SiC HEMT technology
・Operating temperature range -55℃ 〜 +95℃
・Operates on +28V power supply(400mA)
・5×5mm 32-pin QFN package
