・10 〜 2500 MHz、50Ω
・PSAT +40dBm typ
・High output power of 8W or more(PIN = +26dBm)
・47% high efficiency PAE
・Large-signal gain 13.5dB typ
・Gain flatness ±0.5dB or less
・Low IM3 -30dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・Low IM5 -57dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・GaN-on-SiC HEMT technology
・Operating temperature range -55℃ 〜 +95℃
・Operates on +28V power supply(400mA)
・4×4mm 20-pin QFN package
